綜合CNews、Tom′s Hardware報道，俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所（IPM RAS）宣布了一項名為“高性能X射線光刻發(fā)展新概念”的計劃，旨在開發(fā)工作波長為11.2納米的新型光刻設(shè)備。這一創(chuàng)新技術(shù)與荷蘭ASML公司的標(biāo)準(zhǔn)13.5納米波長設(shè)備相比，預(yù)計將設(shè)備的分辨率提高20%，同時降低研發(fā)成本并簡化制造流程。tXYesmc
俄羅斯還計劃使用氙作為激光等離子光源，替代傳統(tǒng)的錫，以減少光學(xué)元件的污染，并延長關(guān)鍵零部件的使用壽命。tXYesmc
此外，新設(shè)備可能采用含硅光刻膠，以提升11.2納米波長下的加工效率，為小規(guī)模芯片生產(chǎn)提供實用解決方案。tXYesmc
研發(fā)計劃分為三個階段：第一階段聚焦于基礎(chǔ)研究和關(guān)鍵技術(shù)辨識；第二階段制造每小時處理60片200毫米晶圓的原型機，并整合至國內(nèi)芯片生產(chǎn)線；第三階段的目標(biāo)是開發(fā)每小時處理60片300毫米晶圓的工業(yè)應(yīng)用設(shè)備。盡管俄羅斯光刻機的產(chǎn)量預(yù)計為ASML設(shè)備的37%，光源功率為3.6千瓦，但這一性能已足夠滿足小規(guī)模生產(chǎn)需求。俄羅斯計劃自主7nm芯片光刻機設(shè)備在2028年實現(xiàn)全面投產(chǎn)，效率預(yù)計比ASML光刻機高1.5-2倍。tXYesmc
受制于制裁和地緣政治因素，俄羅斯目前只能在有限的條件下獨立發(fā)展相關(guān)技術(shù)。俄羅斯決心通過創(chuàng)新路線圖來突破目前的困局，但設(shè)計這些EUV光刻系統(tǒng)可能需要十年甚至更長時間。若研發(fā)進展一切順利，未來俄羅斯可能會成為中小型芯片制造商的重要設(shè)備供應(yīng)商，為全球芯片生產(chǎn)提供新選擇，也為整個行業(yè)格局帶來新的變化。tXYesmc
責(zé)編：Elaine
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